重庆碳化硅坩埚厂家

新闻分类

产品分类

联系我们

座机:023-65600481

手机:13983761581

邮箱:705473193@qq.com

网址:www.cqxzuo.cn

地址:重庆市沙坪坝区青凤工业园


我国多晶硅坩埚存在的主要问题

您的当前位置: 首 页 >> 新闻动态 >> 行业新闻

我国多晶硅坩埚存在的主要问题

发布日期:2017-03-27 作者: 点击:

我国多晶硅坩埚存在的主要问题

目前,我国多晶硅铸锭用重庆坩埚电话全部为熔融石英陶瓷材质,采用注浆成形或注凝成型工艺制备,重庆坩埚存在以下先天缺陷:熔融石英耐温性能不足,硅锭热处理后软化,从玻璃态转变成结晶态,冷却期间,结晶氧化硅相变产生体积膨胀,易导致重庆坩埚选购破裂、破碎;另外,重庆坩埚被熔融硅侵蚀,凝固中的硅锭趋于粘附在重庆石英坩埚价格壁上,由于硅与熔融石英具有不同的热膨胀系数,极大的机械应力可能产生于坩埚壁内,导致坩埚干裂。这些缺陷使得坩埚只能使用一次且难以回收,提高了多晶硅生产成本,严重浪费原料。

熔融石英陶瓷坩埚的另外一个重要问题是如何避免杂质影响硅锭。硅熔体侵蚀重庆坩埚内壁,使得坩埚内的杂质进入硅料,即使采用高纯坩埚原料,也无法克服杂质氧的影响。高温生产过程中,熔融Si和重庆坩埚原料SiO2的反应产物为气态SiO,逸出后与放置重庆坩埚厂家的石墨制品反应形成CO气体,CO易于进入硅熔体中,将碳和氧引入硅中。采用Bridgman法生产多晶硅锭时,一般含有2~6×1017/cm2的间隙氧和2~6×1017/cm2的替位碳。硅熔体中C的增加会提高多晶硅中形成针形SiC晶体的量,尤其在锭料Z上部区域更多,这会导致所制成的太阳能电池短路,电池效率急剧降低。而间隙氧的增加则可以导致氧沉淀或重新结合生成活性氧络合物,使得产品不能满足大规模集成电路对零缺陷硅片的质量要求。针对以上问题,目前的解决方式是重庆坩埚电话内壁涂覆高纯度的氮化硅涂层,但是国内仅有少数厂商可以提供高纯度的氮化硅原料,价格昂贵,且只能使用一次难以回收。

正是由于熔融石英陶瓷重庆坩埚存在上述不足,世界各国一直致力于开发可多次反复使用的坩埚制品。


相关标签:重庆坩埚多晶硅坩埚重庆坩埚价格重庆坩埚厂家

Z近浏览:

在线客服
分享